В Базельском университете (University of Basel) учёным удалось соединить контакты из сверхпроводящего материала с сверхтонким полупроводниковым элементом. Так как все материалы, использовавшиеся в данном опыте, имеют толщину не более пары атомов, полученное устройство будет обладать абсолютно новыми оптическими и электронными свойствами. Взаимодействие между такого рода сверх- и полупроводниками свидетельствует о появлении в ближайшем будущем новейших квантовых явлений, которые, несомненно, будут внедряются в квантовые технологии.Говоря о значимости данного опыта, нельзя не отметить, что полупроводниковые материалы сегодня составляют базу электроники. Они применяются как в бытовой технике, например, в «умных» пылесосах, так и в космических аппаратах. Так как мы видим, что спектр использования такого типа материалов сейчас огромен, многие исследователи стремятся к нахождению и изучению новых полупроводников. При этом особое внимание уделяется условно двумерным материалам, используя которые можно создавать трёхмерные структуры.
Среди методов получения трёхмерных структур из двумерных материалов распространено использование Ван-дер-Вальсовых сил. Благодаря данным силам разнородные материалы взаимно притягиваются, а полученные структуры называются Ван-дер-Вальсовыми гетероструктурами. Именно такую Ван-дер-Вальсову гетероструктуру(трёхмерную) удалось создать учёным университета Базеля. Основой их устройства является слой дисульфида молибдена (полупроводниковый материал). К этому слою, выступающему как полевой транзистор, подключены электроды(сток и исток). Примечательным является то, что они сделаны из Мо-Re (сплав молибдена с пением), который является сверхпроводящих материалом. Ван-дер-Вальсовы силы обеспечивают электрический контакт между сверхпроводящими контактами и пленкой полупроводника.
На данный момент перед учёными стоит задача более детального изучения созданных ими структур. Она заключается в обнаружении нестандатрных физических явлений, появляющихся в результате контакта разнородных материалов. А также исследователям предстоит обнаружить новые, уникальные свойства созданных ими структур. Эти исследования необходимы для обнаружения практических способов применения изобретения.